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IGBT模塊的優點
日期：2026-06-10 22:01
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摘要：
IGBT模塊是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種元件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融和了這兩種元件的優點，既具有MOSFET元件驅動功率小和開關速度快的優點，又具有雙極型元件飽和壓降低而容量大的優點，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管中間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內，在現代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用，在較高頻率的大、**率應用中占據了主導地位。
若在IGBT的柵極G和發射極E中間加上驅動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極C與基極中間成低阻狀態而使得晶體管導通；若IGBT的柵極和發射極中間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型元件，在它的柵極G—發射極E間施加十幾V的直流電壓，只有在uA級的漏電流流過，基本上不消耗功率。
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