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IGBT模塊常用的功率器件
日期：2026-04-14 12:04
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摘要：
IGBT模塊的電壓規格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關。其相互關系見下表。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時，所產生的額定損耗亦變大。同時，開關損耗增大，使原件發熱加劇，因此，選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流。特別是用作高頻開關時，由于開關損耗增大，發熱加劇，選用時應該降等使用。
變頻器向前發展，一直是隨著電力電子器件的發展而發展。只要電力電子器件有了新的飛躍，變頻器就一定有個新飛躍，必定有新的變頻器出現。在20世紀50年代出現了硅晶閘管(SCR);60年代出現可關斷晶閘管(GTO晶閘管);70年代出現了高功率晶體管(GTR)和功率場效應管(MOSFET);80年代相繼出現了絕緣柵雙極功率晶體管(IGBT)以及門控晶閘管(IGCT)和電力加強注入型絕緣柵極晶體管(IEGT)，90年代出現智能功率模塊(IPM)。由于這些元器件的出現，相應出現了以這些逆變器件為主的變頻器，反過來，變頻器要求逆變器件有個理想的靜態特性：在阻斷狀態時，能承受高電壓;在導通狀態時，能大電流通過和低的導通壓降，損耗小，發熱量小;在開關狀態轉換時，具有短的開、關時間，即開關頻率高，而且能承受高的du/dt;全控功能，壽命長、結構緊湊、體積小等特點，當然還要求成本低。上述這些電力電子器件有些是滿足部分要求，有些是逐步向這個方向發展，達到完善的要求，特別是中(高)壓變頻器更需要耐壓高的元器件。
變頻器向前發展，一直是隨著電力電子器件的發展而發展。只要電力電子器件有了新的飛躍，變頻器就一定有個新飛躍，必定有新的變頻器出現。在20世紀50年代出現了硅晶閘管(SCR);60年代出現可關斷晶閘管(GTO晶閘管);70年代出現了高功率晶體管(GTR)和功率場效應管(MOSFET);80年代相繼出現了絕緣柵雙極功率晶體管(IGBT)以及門控晶閘管(IGCT)和電力加強注入型絕緣柵極晶體管(IEGT)，90年代出現智能功率模塊(IPM)。由于這些元器件的出現，相應出現了以這些逆變器件為主的變頻器，反過來，變頻器要求逆變器件有個理想的靜態特性：在阻斷狀態時，能承受高電壓;在導通狀態時，能大電流通過和低的導通壓降，損耗小，發熱量小;在開關狀態轉換時，具有短的開、關時間，即開關頻率高，而且能承受高的du/dt;全控功能，壽命長、結構緊湊、體積小等特點，當然還要求成本低。上述這些電力電子器件有些是滿足部分要求，有些是逐步向這個方向發展，達到完善的要求，特別是中(高)壓變頻器更需要耐壓高的元器件。
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