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技術文章
  • ABB可控硅的廣泛用途 普通晶閘管*基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管,就可以構成可控整流電路。以*簡單的單相半波可控整流電路為例,ABB可控硅在正弦交流電壓U2的正半...
    發布時間:2017-01-17 點擊次數:826 次
  • IGBT模塊的發展簡述 IGBT是絕緣門極雙極型晶體管(IsolatedGateBipolarTransistor)的英文縮寫。它是八十年代末,九十年代初迅速發展起來的新型復合器件。由于它將MOSFET和GTR的優點集于一身,既有...
    發布時間:2017-01-06 點擊次數:807 次
  • 在安裝或更換IGBT模塊時注意些什么? 在安裝或更換IGBT模塊時,應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態和擰緊程度。為了減少接觸熱阻,*好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風扇,當散熱風扇損壞中散熱片散熱**時將導致...
    發布時間:2016-12-23 點擊次數:840 次
  • 熔斷器的使用維護 熔斷器是指當電流超過規定值時,以本身產生的熱量使熔體熔斷,斷開電路的一種電器。熔斷器是根據電流超過規定值一段時間后,以其自身產生的熱量使熔體熔化,從而使電路斷開;運用這種原理制成的一種電流保護器。熔斷器廣泛...
    發布時間:2016-12-13 點擊次數:797 次
  • FERRAZ熔斷器的組成結構及其作用 FERRAZ熔斷器熔斷器是根據電流超過規定值一段時間后,以其自身產生的熱量使熔體熔化,從而使電路斷開;運用這種原理制成的一種電流保護器。熔斷器主要由熔體和熔管以及外加填料等部分組成。使用時,將熔斷器串聯于被保護...
    發布時間:2016-11-29 點擊次數:827 次
  • ABB可控硅結構原件 ABB可控硅結構原件 可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件,共有三個PN結,分析原理時,可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成,其等效圖解如右圖所示。雙向可控硅:雙向可控硅是一種硅可控整流器件,也...
    發布時間:2016-11-17 點擊次數:826 次
  • 使用IGBT模塊時要注意的事項 由于IGBT模塊為MOSFET結構,IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達到20~30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此在使用模塊時,盡量...
    發布時間:2016-11-06 點擊次數:761 次
  • ABB可控硅陽極與陰極的結構 ABB可控硅的陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個P-N結,而且方向相反,因此陽極和控制極正反向都不通)。控制極與陰極之間是一個P-N結...
    發布時間:2016-10-25 點擊次數:790 次
  • IGBT模塊發展歷史 IGBT模塊發展歷史 1979年,MOS柵功率開關器件作為IGBT概念的先驅即已被介紹到世間。IGBT模塊表現為一個類晶閘管的結構(P-N-P-N四層組成),其特點是通過強堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。 8...
    發布時間:2016-10-14 點擊次數:851 次
  • IGBT模塊適用于哪些領域? IGBT模塊適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。IGBT模塊采用IC驅動,各種驅動保護電路,高性能IGBT芯片,新型封裝技術,從復合功率模塊PIM...
    發布時間:2016-09-30 點擊次數:1222 次
  • ABB可控硅的結構 ABB可控硅的結構 ABB可控硅,是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件,亦稱為晶閘管。具有體積小、結構相對簡單、功能強等特點,是比較常用的半導體器件之一。該器件被廣泛應用于...
    發布時間:2016-09-23 點擊次數:830 次
  • IGBT模塊散熱器的安裝方法介紹 IGBT模塊散熱器的安裝①散熱器應根據使用環境及模塊參數進行匹配選擇,以保證模塊工作時對散熱器的要求。②散熱器表面的光潔度應小于10mm,每個螺絲之間的平面扭曲小于10mm。為了減少接觸熱阻,推薦在散熱器與模塊...
    發布時間:2016-09-19 點擊次數:1079 次
  • FERRAZ熔斷器常見種類 FERRAZ熔斷器常見種類 插入式熔斷器:它常用于380V及以下電壓等級的線路末端,作為配電支線或電氣設備的短路保護用。螺旋式熔斷器:熔體上的上端蓋有一熔斷指示器,一旦熔體熔斷,指示器馬上彈出,可透過瓷帽上的...
    發布時間:2016-09-13 點擊次數:958 次
  • IGBT模塊的選擇方法 IGBT模塊的電壓規格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關。其相互關系見下表。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時,所產生的額定損耗亦變大。同時,開關損耗增大,使原件發熱加劇,因此,選用IGBT模塊...
    發布時間:2016-09-05 點擊次數:986 次
  • IXYS可控硅晶閘管特性 IXYS可控硅晶閘管特性 為了能夠直觀地認識晶閘管的IXYS可控硅工作特性,大家先看這塊示教板(圖3)。晶閘管VS與小燈泡EL串聯起來,通過開關S接在直流電源上。注意陽極A是接電源的正極,陰極K接電源的負極,...
    發布時間:2016-08-26 點擊次數:848 次
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