聯系我們
聯系人：王先生 郭先生 李小姐
服務**：13522816641
電 話：010-62842129 82176483
傳 真：010-62561983
QQ： 871252939
QQ： 871252939
MSN：jia_li_da_shi@hotmail.com
E-mail：bjhtc2011@126.com
地址：北京市海淀區上地科技大廈B座1608室
歡迎登錄我們的網站www.sykey.cn 查看相關的產品，
我們為你提供365天24小時5S的服務
E-mail：bjhtc2011@126.com
地址：北京市海淀區上地科技大廈B座1608室
歡迎登錄我們的網站www.sykey.cn 查看相關的產品，
我們為你提供365天24小時5S的服務
-
DYNEX（快恢復二極管）的區別 DYNEX（快恢復二極管）是指反向恢復時間很短的二極管（5us以下），工藝上多采用摻金措施，結構上有采用PN結型結構，有的采用改進的PIN結構。其正向壓降高于普通二極管（1-2V），反向耐壓多在1200...發布時間：2014-09-21 點擊次數：926 次
-
DYNEX（快恢復二極管）的結構特點 DYNEX（快恢復二極管）的內部結構與普通二極管不同，它是在P型、N型硅材料中間增加了基區I，構成P-I-N硅片。由于基區很薄，反向恢復電荷很小，不僅大大減小了trr值，還降低了瞬態正向壓降，使管子能承...發布時間：2014-09-19 點擊次數：951 次
-
DYNEX（快恢復二極管）的介紹 DYNEX（快恢復二極管）是一種具有開關特性好、反向恢復時間短特點的半導體二極管，主要應用于開關電源、PWM脈寬調制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、續流二極管或阻尼二極管使用。DYNEX（快...發布時間：2014-09-18 點擊次數：1054 次
-
IGBT模塊的發展歷史 1979年，MOS柵功率開關器件作為IGBT模塊概念的先驅即已被介紹到世間。這種器件表現為一個類晶閘管的結構（P-N-P-N四層組成），其特點是通過強堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期，用于功率MO...發布時間：2014-09-14 點擊次數：900 次
-
IGBT模塊的輸出特性與轉移特性 IGBT模塊的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區I、放大區II和擊穿區III三部分。IGBT...發布時間：2014-09-13 點擊次數：2105 次
-
IGBT模塊的檢測 判斷極性首先將萬用表撥在R×1KΩ擋，用萬用表測量時，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極(G)其余兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調換表筆后測量...發布時間：2014-09-10 點擊次數：973 次
-
ABB可控硅的分類 ABB可控硅有多種分類方法。（一）按關斷、導通及控制方式分類：可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。（二...發布時間：2014-08-24 點擊次數：840 次
-
ABB可控硅的相關結構 大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導體材料組成的，有三個PN結，對外有三個電極：**層P型半導體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導體引出的電...發布時間：2014-08-23 點擊次數：848 次
-
ABB可控硅的用途 普通晶閘管*基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。ABB可控硅如果把二極管換成晶閘管，就可以構成可控整流電路。以*簡單的單相半波可控整流電路為例，在正弦交流電壓U2的正半周...發布時間：2014-08-19 點擊次數：933 次
-
IGBT模塊如何做好保護 眾所周知，IIGBT模塊是一種用MOS來控制晶體管的新型電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻率高、導通電阻小等特點，被廣泛應用在變頻器的逆變電路中。但由于IGBT的耐過流能力與耐過壓能力較差，一旦出現意外就會...發布時間：2014-08-08 點擊次數：1084 次
-
IGBT模塊保管時的注意事項 IGBT模塊非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。 一般保存IGBT模塊的場所，應保持常溫常濕狀態，不應偏離太大。常溫的規定為5～...發布時間：2014-08-07 點擊次數：863 次
-
IGBT模塊的測量 靜態測量:把萬用表放在乘100檔,測量黑表筆接1端子、紅表筆接2端子,顯示電阻應為無窮大;表筆對調,顯示電阻應在400歐左右.用同樣的方法,測量黑表筆接3端子、紅表筆接1端子,顯示電阻應為無窮大;表筆對調...發布時間：2014-08-06 點擊次數：892 次
-
IGBT模塊使用中的注意事項 由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注...發布時間：2014-08-01 點擊次數：911 次
-
高頻淬火設備中IGBT模塊使用的注意要點 現代高頻淬火設備一般多采用IGBT模塊，通過IGBT模塊可以在提高設備利用率的同時實現節能省點。IGBT模塊是設備中的核心部分。下面小編來詳細介紹IGBT模塊的使用以及注意事項： IGBT模塊的電壓規...發布時間：2014-07-10 點擊次數：997 次
-
IGBT模塊的常識 IGBT管是絕緣柵雙極型晶體管（IsolatedGateBipolarTransistor）的簡稱，它是80年代初誕生，90年代迅速發展起來的新型復合電力電子器件IGBT管是由MOSFET場效應晶體管和B...發布時間：2014-07-09 點擊次數：1076 次
